- 加熱爐設(shè)備
- 晶體及材料
- 破碎/球磨設(shè)備
- 壓片設(shè)備
- 輥壓設(shè)備
- 切割設(shè)備
- 磨拋設(shè)備
- 清洗設(shè)備
- 電池研發(fā)設(shè)備
- 薄膜制備
- 配件
- 其它實(shí)驗(yàn)室設(shè)備
聲表級(jí)石英晶片
- 型號(hào):
- SiO2
- 產(chǎn)品概述:
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本站產(chǎn)品介紹內(nèi)容(包括產(chǎn)品圖片、產(chǎn)品描述、技術(shù)參數(shù)等)僅用于宣傳用途,僅供參考。由于更新不及時(shí)和網(wǎng)站不可預(yù)知的BUG可能會(huì)造成數(shù)據(jù)與實(shí)物的偏差,請(qǐng)勿復(fù)制或者截圖。如果您對(duì)參數(shù)有異議,或者想了解產(chǎn)品詳細(xì)信息及更多參數(shù),請(qǐng)與本公司銷售人員聯(lián)系。本站提供的信息不構(gòu)成任何要約或承諾,請(qǐng)勿將此參數(shù)用于招標(biāo)文件或者合同,科晶公司會(huì)不定期完善和修改網(wǎng)站任何信息,恕不另行通知,請(qǐng)您諒解。
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技術(shù)參數(shù)產(chǎn)品視頻實(shí)驗(yàn)案例警示/應(yīng)用提示配件詳情
技術(shù)參數(shù)
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軸向: | 36°AT cut/42.8°ST cut (+/-0.2°) | 直徑: | 76.2mm(+/-0.3mm);100mm(+/-0.3mm), | 基準(zhǔn)面: | 22mm(+/-2mm);22mm(+/-2mm) | 厚度: | 500um(+/-10um);350um(+/-10um) | 傳播表面: | "+"面 Ra≤8? | 晶片背面: | 0.2um≤Ra≤0.7um | TTV: | ≤10um | LTV: | ≤2.0um within an area of 5x5mm2 | PLTV: | ≥95% 3mm from excluded | BOW: | -25um≤Bow≤+25um | 籽晶區(qū)域: | to be within the center 3mm of the water | Q值: | ≥2million | 邊緣倒角; | edge rounding |
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產(chǎn)品規(guī)格
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常規(guī)尺寸:dia3"x0.5mm;dia4"x0.5mm; 拋光情況:雙拋;單拋; 表面粗糙度Ra:<5A 注:可按照客戶要求加工尺寸及方向。 |
標(biāo)準(zhǔn)包裝
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1000級(jí)超凈室100級(jí)超凈袋 |
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