- 加熱爐設(shè)備
- 晶體及材料
- 破碎/球磨設(shè)備
- 壓片設(shè)備
- 輥壓設(shè)備
- 切割設(shè)備
- 磨拋設(shè)備
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金剛石薄膜
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- 高阻DOI
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技術(shù)參數(shù)產(chǎn)品視頻實驗案例警示/應(yīng)用提示配件詳情
| 技術(shù)參數(shù)
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Si基片晶向: | (100) + / - 0.5o | 絕緣層： | SiO2 | 金剛石薄膜厚度: | 2 micron | 氧化層厚度: | 1 micron | 電阻率： | 10E3 ~ 10E4 ohm-cm |
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| 產(chǎn)品規(guī)格
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4" diameter x0.5mm |
| 標準包裝
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1000級超凈室100級超凈袋或者單片盒裝
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