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砷化鎵(GaAs)晶體基片
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技術(shù)參數(shù)產(chǎn)品視頻實驗案例警示/應(yīng)用提示配件詳情
| 技術(shù)參數(shù)
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單晶： | 砷化鎵(GaAs) | 摻雜: | None；Si；Cr；Te；Zn | 導(dǎo)電類型： | Si；N；Si；N；P | 載流子濃度cm-3： | /> 5x1017 /~2x1018 >5x1018 | 位錯密度cm-2: | <5x105 | 生長方法及最大尺寸: | LEC & HB ?3" |
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| 常規(guī)尺寸
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常規(guī)晶向：<100>、 常規(guī)尺寸：10x10x0.5mm;dia2″x0.5mm; 拋光情況：單拋或雙拋; 表面粗糙度Ra:<15A; 注：可按客戶需求定制相應(yīng)的方向和尺寸。 |
| 備注
|
1000級超凈室100級超凈袋 |
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