- 加熱爐設(shè)備
- 晶體及材料
- 破碎/球磨設(shè)備
- 壓片設(shè)備
- 輥壓設(shè)備
- 切割設(shè)備
- 磨拋設(shè)備
- 清洗設(shè)備
- 電池研發(fā)設(shè)備
- 薄膜制備
- 配件
- 其它實(shí)驗(yàn)室設(shè)備
氧化鋅(ZnO)晶體基片
- 產(chǎn)品概述：
- 氧化鋅(ZnO)晶體基片廣泛應(yīng)用于GaN(藍(lán)光 LED)外延基片，寬波段連接器件等領(lǐng)域.
免責(zé)聲明：
本站產(chǎn)品介紹內(nèi)容（包括產(chǎn)品圖片、產(chǎn)品描述、技術(shù)參數(shù)等）僅用于宣傳用途，僅供參考。由于更新不及時(shí)和網(wǎng)站不可預(yù)知的BUG可能會造成數(shù)據(jù)與實(shí)物的偏差，請勿復(fù)制或者截圖。如果您對參數(shù)有異議，或者想了解產(chǎn)品詳細(xì)信息及更多參數(shù)，請與本公司銷售人員聯(lián)系。本站提供的信息不構(gòu)成任何要約或承諾，請勿將此參數(shù)用于招標(biāo)文件或者合同，科晶公司會不定期完善和修改網(wǎng)站任何信息，恕不另行通知，請您諒解。
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技術(shù)參數(shù)產(chǎn)品視頻實(shí)驗(yàn)案例警示/應(yīng)用提示配件詳情
| 技術(shù)參數(shù)
|
晶體結(jié)構(gòu) | 六方 P63mc;a=3.325 ? c=5.213? | 熔點(diǎn)(℃) | 1975 | 密度(g/cm3) | 5.605 | 熱容(J /g.k) | 0.125 | 熱膨脹系數(shù)(10-6/K) | 6.5// a ;3.7// c | 熱導(dǎo)率( W /m.kat 300K ) | 30 | 透過波長 (μm) | 0.4 ~ 0.6 | 折射率 | 1.922 (o) ;1.936 (e) |
|
| 產(chǎn)品規(guī)格
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生長方法：水熱法； 常規(guī)尺寸：10x10x0.5mm、10x10x1.0mm、20x20x0.5mm、20x20x1.0mm； 常規(guī)晶向：<0001>、<11-20>、<10-10>； 表面粗糙度Ra:<5A 注：也可按客戶需求定制特殊的方向和尺寸。 |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝
|
1000級超凈室100級超凈袋 |
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