- 加熱爐設(shè)備
- 晶體及材料
- 破碎/球磨設(shè)備
- 壓片設(shè)備
- 輥壓設(shè)備
- 切割設(shè)備
- 磨拋設(shè)備
- 清洗設(shè)備
- 電池研發(fā)設(shè)備
- 薄膜制備
- 配件
- 其它實(shí)驗(yàn)室設(shè)備
硒化鋅(ZnSe)晶體基片
- 產(chǎn)品概述:
- 硒化鋅(ZnSe)晶體基片廣泛應(yīng)用于CO2激光器的紅外光學(xué);透鏡;窗口;分束器;外延基片;蒸發(fā)源的晶體片等領(lǐng)域.
免責(zé)聲明:
本站產(chǎn)品介紹內(nèi)容(包括產(chǎn)品圖片、產(chǎn)品描述、技術(shù)參數(shù)等)僅用于宣傳用途,僅供參考。由于更新不及時(shí)和網(wǎng)站不可預(yù)知的BUG可能會造成數(shù)據(jù)與實(shí)物的偏差,請勿復(fù)制或者截圖。如果您對參數(shù)有異議,或者想了解產(chǎn)品詳細(xì)信息及更多參數(shù),請與本公司銷售人員聯(lián)系。本站提供的信息不構(gòu)成任何要約或承諾,請勿將此參數(shù)用于招標(biāo)文件或者合同,科晶公司會不定期完善和修改網(wǎng)站任何信息,恕不另行通知,請您諒解。
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技術(shù)參數(shù)產(chǎn)品視頻實(shí)驗(yàn)案例警示/應(yīng)用提示配件詳情
技術(shù)參數(shù)
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晶體結(jié)構(gòu) | 立方 F43ma=5.6685? | 熔點(diǎn)(℃) | 1517 | 密度(g/cm3) | 5.264 | 熱容(J /g.k) | 0.339 | 熱膨脹系數(shù)(10-6/K) | 7.1 | 熱導(dǎo)率( W /m.kat 300K ) | 13 | 透過波長 (μm) | 0.51 ~ 19.0 | 折射率 | 2.5 |
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產(chǎn)品規(guī)格
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常規(guī)晶向:<100>、<110>、<111>; 常規(guī)尺寸:10x5x0.5mm、10x10x0.5mm; 拋光情況:細(xì)磨、單拋、雙拋; 注:也可按客戶需求定制特殊的方向和尺寸。 |
標(biāo)準(zhǔn)包裝
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1000級超凈室,100級超凈袋或單片盒封裝 |
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