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InZnO晶體基片
產品概述:
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技術參數

 晶體結構

六方   a= 3.252A ,  c = 5.313A

 生長方法

Melt

 硬度

4 moh scale

 密度

~5.0 g/cm3

 熔點

1975 oC

 帶隙

3.37 eV

 比熱容

0.125 cal/gm

 傳導性

N type

 電阻率

0.04 ohm-cm  +/-  factor of 2 , N type

 導熱系數

0.006 cal/cm/ oK

 熱膨脹系數

2.90 x 10-6/oK

 位錯密度

< 4 x 104 /cm2

 表面粗糙度

< 5 A

 厚度

0.35mm;  0.50mm  and  1.0mm


產品規(guī)格

常規(guī)晶向:氧化鋅 <0001> , N+ type, 摻雜;

常規(guī)尺寸:Ф25.4× 0.3mm、10x10 mm 、5 x 5 mm ;

厚度: 0.35 mm,  0.5 mm   and 1.0 mm ;

摻雜濃度: > 4E18 cm^-3;

電阻率:小于1 × 10 ^ -3Ω.cm;

注:可根據客戶需求定制特殊的方向和大小

標準包裝

1000級超凈室,100級超凈袋或單片盒封裝

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