- 加熱爐設(shè)備
- 晶體及材料
- 破碎/球磨設(shè)備
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- 輥壓設(shè)備
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- 其它實(shí)驗(yàn)室設(shè)備
氮化鎵(GaN)晶體基片
- 產(chǎn)品概述：
- GaN易與AlN、InN等構(gòu)成混晶，能制成各種異質(zhì)結(jié)構(gòu)，已經(jīng)得到了低溫下遷移率達(dá)到105cm2/Vs的2-DEG(因?yàn)?-DEG面密度較高，有效地屏蔽了光學(xué)聲子散射、電離雜質(zhì)散射和壓電散射等因素).科晶公司將為您提供高品質(zhì)低價(jià)位的氮化鎵晶體和基片。
免責(zé)聲明：
本站產(chǎn)品介紹內(nèi)容（包括產(chǎn)品圖片、產(chǎn)品描述、技術(shù)參數(shù)等）僅用于宣傳用途，僅供參考。由于更新不及時(shí)和網(wǎng)站不可預(yù)知的BUG可能會(huì)造成數(shù)據(jù)與實(shí)物的偏差，請勿復(fù)制或者截圖。如果您對參數(shù)有異議，或者想了解產(chǎn)品詳細(xì)信息及更多參數(shù)，請與本公司銷售人員聯(lián)系。本站提供的信息不構(gòu)成任何要約或承諾，請勿將此參數(shù)用于招標(biāo)文件或者合同，科晶公司會(huì)不定期完善和修改網(wǎng)站任何信息，恕不另行通知，請您諒解。
如果您需要下載產(chǎn)品的電子版技術(shù)文檔，說明書（在線閱覽），裝箱單，與售后安裝條件等文件，請點(diǎn)擊上方的附件下載模塊中選取。商城產(chǎn)品僅針對大陸地區(qū)客戶，購買前請與工作人員溝通，以免給您帶來不便。
技術(shù)參數(shù)產(chǎn)品視頻實(shí)驗(yàn)案例警示/應(yīng)用提示配件詳情
| 技術(shù)參數(shù)
|
制作方法： | HVPE（氫化物氣象外延法） | 傳導(dǎo)類型： | N型；半絕緣型 | 電阻率： | R<0.05 Ω.cm； R | 表面粗糙度： | <0.5nm | 位錯(cuò)密度： | <5x106Ω.cm | 可用表面積： | >90% | TTV: | ≤15um | Bow: | ≤20um |
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| 產(chǎn)品規(guī)格
|
晶體方向: 注：可按照客戶要求加工尺寸及方向。 |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝
|
1000級超凈室100級超凈袋或單片盒裝 |
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