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PMN-PT晶體
產(chǎn)品概述:
用改進(jìn)的Bridgman法生長出了高質(zhì)量的大尺寸弛豫鐵電單晶PMNT,該單晶具有優(yōu)異的壓電性能、非線性光學(xué)性能和熱釋電性能,不僅可以滿足應(yīng)用需要成為新一代高性能壓電換能器、非線性光學(xué)器件和光電探測器件(如紅外探測器)的核心材料,而且還為廣大的科研人員提供了良好的研究載體,歡迎國內(nèi)外各科研院所和公司企業(yè)定購我們的單晶產(chǎn)品,進(jìn)行相關(guān)的科學(xué)研究及器件研發(fā)和生產(chǎn)。
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技術(shù)參數(shù)產(chǎn)品視頻實(shí)驗(yàn)案例警示/應(yīng)用提示配件詳情
產(chǎn)品名稱

PMN-PT晶體基片


技術(shù)參數(shù)

晶體結(jié)構(gòu):

贗立方晶系

晶格常數(shù):

a=~4.024 ?

密度:

8.1 g/cm3

熔點(diǎn):

1280°C

硬度:

 3.5mohs

熱膨脹系數(shù)10.4x10-6/K

耦合常數(shù):

k33(longitudinal mode) >92%

kt(thickness mode) 59-62%

k33'(beam mode) 84-88%

壓電系數(shù)d33 :

>2000 pC/N

介電常數(shù)e(at 1kHz after poling) :

4000 – 6000

介電損耗:

tan d<0.9

居里溫度 :

135-150°C

生長方法:

坩堝下降法                        


產(chǎn)品規(guī)格

常規(guī)晶向:                        

 

晶向公差:                       

±0.5°

常規(guī)尺寸:

10x10x0.5mm, 10x5x0.5mm,5x5x0.5mm

拋光情況:

單拋、雙拋、細(xì)磨

拋光面粗糙度

Ra<15A (單晶內(nèi)部有疇)

注:尺寸及方向可按照客戶要求定做。


晶體缺陷

人工金屬單晶存在常見晶體缺陷等。


標(biāo)準(zhǔn)包裝:

1000級(jí)超凈室,100級(jí)超凈袋封裝


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