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MgO晶體
產(chǎn)品概述:
氧化鎂(MgO)是極好的單晶基片而廣泛應(yīng)用于制作鐵電薄膜、磁學(xué)薄膜、光電薄膜和高溫超導(dǎo)薄膜等,由于它在微波波段的介電常數(shù)和損耗都很小,且能得到大面積的基片(直徑2英吋及更大),所以是當(dāng)前產(chǎn)業(yè)化的重要高溫超導(dǎo)薄膜單晶基片之一。 可用于制作移動(dòng)通訊設(shè)備所需的高溫超導(dǎo)微波濾波器等器件??凭Ч居靡环N特殊的電弧法生長(zhǎng)出高純度的尺寸約2”x2”x 1”的低成本的MgO單晶,采用化學(xué)機(jī)械拋光制備出高質(zhì)量原子級(jí)表面的基片。
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產(chǎn)品名稱(chēng)

氧化鎂(MgO)晶體基片

技術(shù)參數(shù)

晶體結(jié)構(gòu):

立方晶系

晶格常數(shù):

a=4.216 ?

密度:

3.58 g/cm3

熔點(diǎn):

2850°C

硬度:

5.5 mohs

熱膨脹系數(shù):

8×10-6/k

光學(xué)透過(guò):

> 90% @ 200 ~ 400 nm   

> 98 %@ 500 ~ 1000 nm

晶體解理面:

(100)

介電常數(shù):     

9.8                                          

生長(zhǎng)方法:

弧熔法


產(chǎn)品規(guī)格

常規(guī)晶向:

(100)、(110)、(111)

晶向公差:

±0.5°

常規(guī)尺寸:

dia2"x0.5mm, 10x10x0.5mm, 10x5x0.5mm,5x5x0.5mm

拋光情況:

單拋、雙拋、細(xì)磨

拋光面粗糙度:

注:尺寸及方向可按照客戶要求定做

晶體缺陷

人工生長(zhǎng)單晶有可能存在晶體內(nèi)部缺陷。

標(biāo)準(zhǔn)包裝:

1000級(jí)超凈室,100級(jí)超凈袋或單片盒封裝

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