- 加熱爐設(shè)備
- 晶體及材料
- 破碎/球磨設(shè)備
- 壓片設(shè)備
- 輥壓設(shè)備
- 切割設(shè)備
- 磨拋設(shè)備
- 清洗設(shè)備
- 電池研發(fā)設(shè)備
- 薄膜制備
- 配件
- 其它實(shí)驗(yàn)室設(shè)備
CdTe晶體
- 產(chǎn)品概述:
- 碲化鎘(CdTe)晶體基片廣泛應(yīng)用于X射線檢測(cè),紅外光學(xué),外延基片,蒸發(fā)源的晶體片等相關(guān)領(lǐng)域。
免責(zé)聲明:
本站產(chǎn)品介紹內(nèi)容(包括產(chǎn)品圖片、產(chǎn)品描述、技術(shù)參數(shù)等)僅用于宣傳用途,僅供參考。由于更新不及時(shí)和網(wǎng)站不可預(yù)知的BUG可能會(huì)造成數(shù)據(jù)與實(shí)物的偏差,請(qǐng)勿復(fù)制或者截圖。如果您對(duì)參數(shù)有異議,或者想了解產(chǎn)品詳細(xì)信息及更多參數(shù),請(qǐng)與本公司銷售人員聯(lián)系。本站提供的信息不構(gòu)成任何要約或承諾,請(qǐng)勿將此參數(shù)用于招標(biāo)文件或者合同,科晶公司會(huì)不定期完善和修改網(wǎng)站任何信息,恕不另行通知,請(qǐng)您諒解。
如果您需要下載產(chǎn)品的電子版技術(shù)文檔,說(shuō)明書(shū)(在線閱覽),裝箱單,與售后安裝條件等文件,請(qǐng)點(diǎn)擊上方的附件下載模塊中選取。商城產(chǎn)品僅針對(duì)大陸地區(qū)客戶,購(gòu)買(mǎi)前請(qǐng)與工作人員溝通,以免給您帶來(lái)不便。
技術(shù)參數(shù)產(chǎn)品視頻實(shí)驗(yàn)案例警示/應(yīng)用提示配件詳情
產(chǎn)品名稱
|
碲化鎘(CdTe)晶體基片
|
技術(shù)參數(shù)
|
晶體結(jié)構(gòu): | 立方晶系 | 晶格常數(shù): | a = 6.483? | 密度: | 5.851g/cm3 | 熔點(diǎn): | 1047℃ | 熱導(dǎo)率: | 6.3W /m.k at 300K | 熱膨脹系數(shù): | 5.9x10-6/K | 透過(guò)波長(zhǎng): | 0.85 ~ 29.9μm | 折射率: | 2.65@10μm | 介電常數(shù): | 11@1MHZ |
|
產(chǎn)品規(guī)格
|
常規(guī)晶向: | (100)、(110)、(111) | 晶向公差: | ±1° | 常規(guī)尺寸: | 10x10x0.5mm、10x5x0.5mm、5x5x0.5mm | 拋光情況: | 單拋、雙拋 | 拋光面粗糙度: | <15A |
注:也可提供多晶的,尺寸可按照客戶要求加工,請(qǐng)發(fā)郵件確定信息。
|
晶體缺陷
|
人工生長(zhǎng)單晶都可能存在晶體內(nèi)部缺陷。 |
標(biāo)準(zhǔn)包裝
|
1000級(jí)超凈室,100級(jí)超凈袋或單片盒封裝 |
免責(zé)聲明:
本站產(chǎn)品介紹內(nèi)容(包括產(chǎn)品圖片、產(chǎn)品描述、技術(shù)參數(shù)等)僅用于宣傳用途,僅供參考。由于更新不及時(shí)和網(wǎng)站不可預(yù)知的BUG可能會(huì)造成數(shù)據(jù)與實(shí)物的偏差,請(qǐng)勿復(fù)制或者截圖。如果您對(duì)參數(shù)有異議,或者想了解產(chǎn)品詳細(xì)信息及更多參數(shù),請(qǐng)與本公司銷售人員聯(lián)系。本站提供的信息不構(gòu)成任何要約或承諾,請(qǐng)勿將此參數(shù)用于招標(biāo)文件或者合同,科晶公司會(huì)不定期完善和修改網(wǎng)站任何信息,恕不另行通知,請(qǐng)您諒解。
如果您需要下載產(chǎn)品的電子版技術(shù)文檔,說(shuō)明書(shū)(在線閱覽),裝箱單,與售后安裝條件等文件,請(qǐng)點(diǎn)擊上方的附件下載模塊中選取。商城產(chǎn)品僅針對(duì)大陸地區(qū)客戶,購(gòu)買(mǎi)前請(qǐng)與工作人員溝通,以免給您帶來(lái)不便。