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技術參數產品視頻實驗案例警示/應用提示配件詳情
| 產品名稱
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砷化銦（InAs）晶體 |
| 技術參數
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晶體結構： | 立方晶系 | 晶格常數： | a=5.4505 ? | 摻雜類型： | 不摻雜 | 導電類型： | N | 載流子濃度： | 2 ~ 5E16 / cm3 | 遷移率： | >18500cm2/V.S | 生長方法： | CZ |
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| 產品規(guī)格
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常規(guī)晶向： | <100> <111> | 常規(guī)尺寸： | 2"x0.5mm 10x10x0.5mm | 拋光情況： | 單拋 雙拋 | 表面粗糙度： | <15A | 注：尺寸及方向可按照客戶要求定做。 |
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| 晶體缺陷
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人工生長單晶有可能存在晶體內部缺陷。 |
| 標準包裝
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1000級超凈室，100級超凈袋或單片盒封裝。
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