- 加熱爐設(shè)備
- 晶體及材料
- 破碎/球磨設(shè)備
- 壓片設(shè)備
- 輥壓設(shè)備
- 切割設(shè)備
- 磨拋設(shè)備
- 清洗設(shè)備
- 電池研發(fā)設(shè)備
- 薄膜制備
- 配件
- 其它實驗室設(shè)備
InP晶體基片
- 產(chǎn)品概述：
- InP非常適用于高頻器件，如高電子遷移率晶體管和異質(zhì)結(jié)雙極晶體管（HBT）等方面。InP基器件在毫米波、通訊、防撞系統(tǒng)、圖像傳感器等領(lǐng)域有廣泛應(yīng)用
免責(zé)聲明：
本站產(chǎn)品介紹內(nèi)容（包括產(chǎn)品圖片、產(chǎn)品描述、技術(shù)參數(shù)等）僅用于宣傳用途，僅供參考。由于更新不及時和網(wǎng)站不可預(yù)知的BUG可能會造成數(shù)據(jù)與實物的偏差，請勿復(fù)制或者截圖。如果您對參數(shù)有異議，或者想了解產(chǎn)品詳細(xì)信息及更多參數(shù)，請與本公司銷售人員聯(lián)系。本站提供的信息不構(gòu)成任何要約或承諾，請勿將此參數(shù)用于招標(biāo)文件或者合同，科晶公司會不定期完善和修改網(wǎng)站任何信息，恕不另行通知，請您諒解。
如果您需要下載產(chǎn)品的電子版技術(shù)文檔，說明書（在線閱覽），裝箱單，與售后安裝條件等文件，請點擊上方的附件下載模塊中選取。商城產(chǎn)品僅針對大陸地區(qū)客戶，購買前請與工作人員溝通，以免給您帶來不便。
技術(shù)參數(shù)產(chǎn)品視頻實驗案例警示/應(yīng)用提示配件詳情
| 產(chǎn)品名稱
|
磷化銦(InP)晶體基片 |
| 技術(shù)參數(shù)
|
晶體結(jié)構(gòu)： | 立方晶系 | 晶格常數(shù)： | a =5.4505 ? | 摻雜： | None；Sn；S；Fe：Zn | 密度： | 4.81g/cm3 | 硬度： | 3 Mohs | 導(dǎo)電類型： | N；N；N；Si；P | 折射率： | 3.45 | 載流子濃度： | 1-2x1016 1-3x1018
1-4x1018 .6-4x1018 | 位錯密度： | <5x104 cm-2 | 生長方法： | LEC | 熔點： | 1062℃ | 彈性模量： | 7.1E11dyn cm-2 |
|
| 產(chǎn)品規(guī)格
|
常規(guī)晶向： | | 常規(guī)尺寸： | 2"x0.5mm 10x10x0.5mm | 拋光情況： | 單拋 | 表面粗糙度： | <15A | 注：尺寸及方向可按照客戶要求定做。 |
|
| 晶體缺陷
|
人工金屬單晶存在常見晶體缺陷，表面可能會有小黑點，微小氣泡等 |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝
|
1000級超凈室，100級超凈袋或單片盒封裝 |
免責(zé)聲明：
本站產(chǎn)品介紹內(nèi)容（包括產(chǎn)品圖片、產(chǎn)品描述、技術(shù)參數(shù)等）僅用于宣傳用途，僅供參考。由于更新不及時和網(wǎng)站不可預(yù)知的BUG可能會造成數(shù)據(jù)與實物的偏差，請勿復(fù)制或者截圖。如果您對參數(shù)有異議，或者想了解產(chǎn)品詳細(xì)信息及更多參數(shù)，請與本公司銷售人員聯(lián)系。本站提供的信息不構(gòu)成任何要約或承諾，請勿將此參數(shù)用于招標(biāo)文件或者合同，科晶公司會不定期完善和修改網(wǎng)站任何信息，恕不另行通知，請您諒解。
如果您需要下載產(chǎn)品的電子版技術(shù)文檔，說明書（在線閱覽），裝箱單，與售后安裝條件等文件，請點擊上方的附件下載模塊中選取。商城產(chǎn)品僅針對大陸地區(qū)客戶，購買前請與工作人員溝通，以免給您帶來不便。
皖公網(wǎng)安備 34012302000974號
查看誠信檔案
