- 加熱爐設(shè)備
- 晶體及材料
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- 電池研發(fā)設(shè)備
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- 配件
- 其它實(shí)驗(yàn)室設(shè)備
ZnS 晶體基片
- 產(chǎn)品概述：
- II - VI族晶體有可能在不久的將來用于突出拍攝上。他們的直接帶隙的性質(zhì)和大范圍的透明度以及一個(gè)帶隙,為有趣的設(shè)備提供了廣泛選擇的可能性。
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技術(shù)參數(shù)產(chǎn)品視頻實(shí)驗(yàn)案例警示/應(yīng)用提示配件詳情
| 產(chǎn)品名稱
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ZnS 晶體基片
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| 技術(shù)參數(shù)
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晶體結(jié)構(gòu)： | 立方晶系 | 晶格常數(shù)： | 5.41? | 密度： | 4.08 g/cm3 | 熔點(diǎn)： | 1850 ℃ | 熱容： | 0.469 J/g·k | 熱膨脹系數(shù)(10-6/K)： | 6.8 | 折射率： | 2.34 | 透過波長(zhǎng)： | 2~12 um | 熱導(dǎo)率： | 16 W/(m.k) at300K | 生長(zhǎng)方式： | 布里奇曼法 |
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| 產(chǎn)品規(guī)格
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常規(guī)晶向： | <110>、<111> | 常規(guī)尺寸： | 10x10x1.0mm、5x5x1.0mm | 拋光情況： | 單拋、雙拋 | 表面粗糙度： | <5A | 注：尺寸及方向可按照客戶要求定做。 |
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| 晶體缺陷
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人工生長(zhǎng)單晶都可能存在晶體內(nèi)部缺陷。
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| 標(biāo)準(zhǔn)包裝
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1000級(jí)超凈室，100級(jí)超凈袋或單片盒封裝
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